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机译:锗纳米晶非易失性存储结构中电容电压特性的退火温度依赖性
机译:用于p型非易失性存储应用的基于Ge纳米晶体的金属氧化物半导体结构的电学研究
机译:SiO_2 / SiO_x / 3C-SiC / n型硅非易失性存储器的氧化物结构对其存储器操作特性的依赖性
机译:Au / TiO_2(金红石)/ n-Si结构的电容-电压和电导-电压特性的温度依赖性分析
机译:非晶态材料中体陷阱的俘获截面对MIS结构电容-电压特性的频率依赖性的影响
机译:基于稀释的磁性半导体和混合半导体铁磁纳米结构的非易失性自旋存储器。
机译:非易失性存储应用中Al2O3-TiAlO-SiO2栅堆叠的电子结构和电荷俘获特性
机译:基于Ge-NanoCrystal的非易失性存储器结构中电容电压特性的退火温度依赖性