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机译:4H-SiC(0001)上SiO_2薄膜中碳污染的研究
机译:4H-SiC(0001)热氧化过程中SiO_2膜表面和界面的二维粗糙度增长
机译:SiO_2超薄薄膜与4H-SiC(0001)的界面结构
机译:4H-SiC(0001)/ SiO_2界面处的碳悬挂键中心(碳P_b中心)
机译:在4H-SiC(0001)衬底上热生长SiO_2电介质的表面和界面形态研究
机译:用微波ECR等离子体反应器沉积氢化非晶碳膜的膜性能和沉积过程的研究。
机译:有机金属气相外延过程中GaN(0001)和(000-1)的CH4吸附概率及其与膜中碳污染的关系
机译:在4H-SiC(0001)和Si(111)上外延ZrB2薄膜的磁控溅射