机译:高(100)取向外延Pb(Zr_(0.35),Ti_(0.65))O_3薄膜的畴结构
机译:(100)/(001)取向外延Pb(Zr_(0.35),Ti_(0.65))O_3薄膜的电学性能比较,在(100)Si和(100)SrTiO_3衬底上生长具有相同(001)域分数的薄膜
机译:在具有不同热膨胀系数的单晶衬底上生长的{100}取向外延Pb(Zr_(0.65)Ti_(0.35))O_3薄膜中晶体结构的膜厚度依赖性
机译:(100)_cSrRuO_3 /(100)SrTiO_3衬底上生长的具有90°畴的不同体积分数的外延Pb(Zr_(0.35)Ti_(0.65))O_3薄膜的疲劳特性
机译:Cofe_2O_4薄膜厚度对(001)的多二二二核性的影响(Zr_(0.5)Ti_(0.5))O_3 / CoFe_2O_4 / Pb(Zr_(0.5)Ti_(0.5))O_3三层结构
机译:溅射沉积外延(1-x)Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3-- xPbTiO3薄膜的结构性质关系。
机译:(100)/(001)取向四方外延Pb(Zr0.4Ti0.6)O3薄膜在电场作用下超快90°域转换的原位观察
机译:srTiO {sub 3}(100)上的外延pb(Zr {sub x} Ti {sub 1 {minus} x})O {sub 3} / srRuO {sub 3}(x = 0,0.35,0.65)多层薄膜通过mOCVD和RF溅射制备mgO(100)和mgO(100)
机译:srTiO(sub 3)(100)上的外延pb(Zr(sub x)Ti(sub 1(minus)x))O(sub 3)/ srRuO(sub 3)(x = 0,0.35,0.65)多层薄膜通过mOCVD和RF溅射制备mgO(100)和mgO(100)