机译:(gan /)aigan / gan异质结构的压电致动
机译:GaN / AIGAN / GaN(0001)局部应变和结晶缺陷由合成渐变的AIGAN埋藏层诱导的异质结构
机译:位错对AIGaN / GaN和AIGaN / AIN / GaN异质结构中电子迁移率的影响
机译:栅电子AIGaN / GaN和AIGaN / AIN / GaN异质结构中二维电子气的固有迁移率受到限制
机译:P型GaN外延层和Aigan / GaN异质结构,具有高空穴浓度和HVPE生长的流动性
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:通过HR-TEMXRD和慢正电子实验确定GaN / AlN / Si异质结构中GaN膜的缺陷结构
机译:AIGAN / GAN异质结构的蓝宝石底物上GAN EPI层的电气特性
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管