机译:通过纵横比俘获和外延横向过生长选择性化学气相沉积技术表征集成在Si(001)上的Ge薄膜异质结构的复杂x射线结构表征
IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany;
IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany;
AmberWave Systems, 13 Garabedian Drive, Salem, New Hampshire 03079, USA;
AmberWave Systems, 13 Garabedian Drive, Salem, New Hampshire 03079, USA;
AmberWave Systems, 13 Garabedian Drive, Salem, New Hampshire 03079, USA;
机译:金属有机化学气相沉积法制备的InP / GaAs(100)异质结构的外延横向过生长
机译:氢化物气相外延,金属有机化学气相沉积和外延横向过生长在n-GaN中空穴陷阱的比较
机译:使用长宽比陷阱和外延横向过生长在Si(001)上进行低缺陷密度Ge外延
机译:通过金属化学气相沉积制备C轴取向外延Bi_2VO_(5.5)薄膜的制备及表征
机译:通过金属有机化学气相沉积相选择合成Tl-Ba-Ca-Cu-O薄膜和多层结构。工艺优化,相变,电学表征和微结构发展。
机译:通过原子层沉积和化学气相沉积在高纵横比结构中沉积的薄膜的ToF-SIMS 3D分析
机译:通过金属有机化学气相沉积在(100)SRTIO3基板上生长的(001)/(100)的菌株弛豫结构(001)/(100)的外延PB(Zr,Ti)O3薄膜
机译:硅衬底上氮化镓(GaN)薄膜的大面积外延过量生长(LEO)及其表征