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机译:用于电信波长激光器的GaInAsN-GaAsSbN薄双层量子阱结构中的孔限制得到改善
Department of Electrical Engineering, Technion-Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel;
Department of Electrical Engineering, Technion-Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel;
Department of Physics, Technion-Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel;
机译:基于不对称量子阱分离约束InGaAsP / InP异质结构的大功率二极管激光器(λ= 1.7-1.8μm)
机译:2- / spl mu / m压缩应变InGaAs-InGaAsP量子阱激光器的特性取决于禁闭结构和单模工作
机译:基于InP的1.3- / spl mu / m InP量子阱激光器,具有n掺杂的单独限制异质结构层,用于高温操作
机译:MONOS型非易失性存储器中有效空穴注入的量子限制效应-激光尖峰退火制造的超薄i-Si / P + sup>多晶硅叠栅结构的作用
机译:改进了用于长波长InGaAlAs / InP激光器的限制结构和量子阱设计。
机译:空穴限制在InGaN量子结构的复合性质中的作用
机译:alGaas量子阱有源区的辐射特性 具有独立限制异质结构(sCH)的激光器