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机译:电迁移导致金属局部堆积和变薄的模型
Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA;
Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA;
机译:倒装芯片球栅阵列焊点中凸点下金属化与金属间化合物之间的界面上的空穴扩散电迁移模型
机译:0.13μm以下超薄AlCu互连中的金属叠层和带图案的金属轮廓对电迁移特性的影响
机译:控制电迁移以选择性地形成细金属线和金属微球
机译:电迁移诱导金属薄膜互连失效的建模
机译:用于ULSI应用的IC金属化系统和铜金属化中电迁移故障的建模和表征。
机译:GeTe薄膜结晶时的应力累积:曲率测量和建模
机译:温度对基于薄金属钝化线阈值电流密度防止电迁移损伤的影响