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机译:具有垂直高斯型掺杂轮廓的短沟道双栅金属氧化物半导体场效应晶体管的电势分布和阈值电压的二维模型
Department of Electronics Engineering, Centre for Research in Microelectronics (CRME), Institute of Technology, Banaras Hindu University, Varanasi, Uttar Pradesh 221005, India;
Department of Electronics Engineering, Centre for Research in Microelectronics (CRME), Institute of Technology, Banaras Hindu University, Varanasi, Uttar Pradesh 221005, India;
Department of Electronics Engineering, Centre for Research in Microelectronics (CRME), Institute of Technology, Banaras Hindu University, Varanasi, Uttar Pradesh 221005, India;
机译:具有垂直高斯型掺杂轮廓的短沟道双栅金属氧化物半导体场效应晶体管的电势分布和阈值电压的二维模型
机译:具有垂直高斯型掺杂分布的短沟道双栅金属氧化物半导体场效应晶体管的亚阈值摆幅的二维模型
机译:短沟道三材料双栅金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的二维分析模型
机译:具有垂直高斯掺杂分布的双栅极(DG)MOSFET的沟道电势和阈值电压的二维分析模型
机译:金属氧化物半导体场效应晶体管中随机掺杂引起的阈值电压波动分析
机译:基于GaMnAs的垂直自旋金属氧化物半导体场效应晶体管中的侧栅电场引起的大电流调制和隧穿磁阻变化
机译:均匀掺杂的短沟道对称双栅(DG)MOSFET的掺杂相关阈值电压模型