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Silver catalyzed ultrathin silicon nanowires grown by low-temperature chemical-vapor-deposition

机译:低温化学气相沉积法制备的银催化超薄硅纳米线

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摘要

In this work we demonstrate the synthesis of monocrystalline silicon nanowire using silver particles as catalysts at temperatures of less than 500 ℃ by means of ultrahigh vacuum chemical vapor deposition. The nanowires were grown epitaxially on silicon substrates and had diameters of about 10 nm. We furthermore show that the silver remnants can be wet chemically removed with potassium ferricyanide and sodium thiosulfate.
机译:在这项工作中,我们证明了通过超高真空化学气相沉积法在小于500℃的温度下使用银颗粒作为催化剂合成单晶硅纳米线。纳米线在硅衬底上外延生长,并且具有约10nm的直径。我们进一步表明,可以用铁氰化钾和硫代硫酸钠湿化学去除银残留物。

著录项

  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |2010年第1期|P.096105.1-096105.3|共3页
  • 作者单位

    Max Planck Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, 06120 Halle, Germany;

    Max Planck Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, 06120 Halle, Germany;

    Max Planck Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, 06120 Halle, Germany;

    Max Planck Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, 06120 Halle, Germany;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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