机译:短沟道多晶硅薄膜晶体管中的阈值电压:漏极引起的势垒降低和浮体效应的影响
IMM-CNR, Via del Fosso del Cavaliere 100, 00133 Roma, Italy;
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机译:短沟道多晶硅薄膜晶体管中的阈值电压:漏极引起的势垒降低和浮体效应的影响
机译:肖特基源漏结构抑制多晶硅薄膜晶体管中的浮体效应
机译:关态偏置应力下短沟道(L =1.5μm)p型多晶硅薄膜晶体管的阈值电压正移
机译:沟道长度和漏极偏置对玻璃基板上场增强固相结晶多晶薄膜晶体管阈值电压的影响
机译:金属诱导的单晶结晶多晶硅薄膜晶体管技术及其在平板显示器上的应用。
机译:使用光反应性界面层通过局部沟道掺杂来调节有机薄膜晶体管的阈值电压
机译:高温制造N通道多晶硅薄膜晶体管的短频道效应研究