机译:在中等衬底温度下通过分子氢流从InAs(100)表面去除天然氧化物和碳污染物的化学计量和形态研究
Schulick Faculty of Chemistry, Technion-Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel;
Schulick Faculty of Chemistry, Technion-Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel;
Schulick Faculty of Chemistry, Technion-Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel;
SCD-Semi-Conductor Devices, P.O. Box 2250, Haifa 31021, Israel;
SCD-Semi-Conductor Devices, P.O. Box 2250, Haifa 31021, Israel;
机译:天然氧化物覆盖的InAs(100)表面的热退火和原子氢清洗的同步辐射辐射研究
机译:InAs(100)表面TiO2薄膜的原子层沉积(ALD)过程中的铟扩散和自然氧化物去除
机译:使用原子氢低温去除Ge(100)中的表面氧化物和碳氢化合物
机译:MOVPE生长的GaAs衬底上变质InAs(Sb)的表面形貌的生长温度和Sb流量依赖性
机译:冷热:对来自年轻恒星的分子氢射流和一氧化碳分子流出的研究。
机译:铝的表面形态与脱硫途径。单层和(100)和(103)表面的MoS2 Mo边缘通过分子氢:DFT研究
机译:GaAs(100)和InAs(100)衬底上的超薄(1x2)-Sn层:一种用于去除非晶表面氧化物的催化剂
机译:Gaas和Inp衬底上生长的分子束外延Insb和Inas(X)sb(1-X)的表面形貌和电学特性