机译:N型晶体硅上本征薄膜太阳能电池异质结中的载流子传输和灵敏度问题:计算机模拟研究
Laboratoire de Physique des Plasmas et Matiriaux Conducteurs et leurs Applications, Universite des Sciences et Technologie, 31000 Oran, Algeria;
Energy Research Unit, Indian Association for the Cultivation of Science, Kolkata 700 032, India;
Energy Research Unit, Indian Association for the Cultivation of Science, Kolkata 700 032, India;
Institute of Microtechnology (IMT), Ecole Poly technique Federate de Lausanne, Breguet 2, 2000 Neuchdtel,Switzerland;
Institute of Microtechnology (IMT), Ecole Poly technique Federate de Lausanne, Breguet 2, 2000 Neuchdtel,Switzerland;
Laboratoire de Physique des Interfaces et des Couches Minces (UMR 7647 CNRS), Ecole Polytechnique,91128 Palaiseau, France;
机译:模拟和研究缓冲本征层,背面电场,界面缺陷密度,p型硅衬底和透明导电氧化物的电阻对本征太阳能电池异质结的影响
机译:在165°C的太阳能电池中使用外延生长的薄结晶硅薄膜的可行性:计算机模拟研究
机译:P-ASI表面反转层中横向少数型载流量的仿真研究:H / I-ASI:H / CSI异质结太阳能电池
机译:具有n型晶片的本征薄层(HIT)太阳能电池在异质结上光载流子衰减的仿真
机译:重掺杂N型硅中的少数族裔载运子(发射极,磷表皮,双极晶体管,能隙窄带,太阳能电池)。
机译:多孔硅薄层-结晶硅异质结对氨吸附的光电动势敏感性
机译:N型晶体硅的固有薄层太阳能电池的异质结的载流子传输和敏感性问题:计算机仿真研究
机译:富含缺陷外延对晶体硅/非晶硅异质结太阳能电池的影响及低迁移率层用于提高性能。