...
机译:使用闪光灯通过毫秒退火控制富Ge的掺Er的SiO_2层的蓝紫色电致发光
Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Forschungszentrum Dresden Rossendorf, P.O. Box 510119, 01314 Dresden, Germany;
Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Forschungszentrum Dresden Rossendorf, P.O. Box 510119, 01314 Dresden, Germany;
Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Forschungszentrum Dresden Rossendorf, P.O. Box 510119, 01314 Dresden, Germany;
Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Forschungszentrum Dresden Rossendorf, P.O. Box 510119, 01314 Dresden, Germany;
Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Forschungszentrum Dresden Rossendorf, P.O. Box 510119, 01314 Dresden, Germany;
机译:闪光灯和炉内退火的掺Er的富Ge的SiO_2层的室温1.53μmEr光致发光的比较
机译:锗相关的缺氧中心在通过掺Er控制富锗的SiO_2中的蓝紫色光致和电致发光中的作用
机译:通过氟共注入和闪光灯退火,SiO_2:Gd层产生的紫外线(314 nm)的四倍增加
机译:闪光灯退火:(亚)毫秒热处理热敏基板上的层
机译:闪光灯退火多晶硅的PMOS TFT工程源/通道/漏极区
机译:磁控溅射和闪光灯退火形成NiGe薄膜
机译:使用毫秒闪光灯退火技术稳定铁电HFXZR1-XO2薄膜
机译:在某些闪存控制器,驱动程序,存储卡和媒体播放器以及包含它们的产品中。调查编号337-Ta-619