机译:直流增强电容耦合等离子体中的高能电子通量。二。高纵横比电介质蚀刻对扭曲的影响
Department of Chemical and Biological Engineering, Iowa State University, Ames, Iowa 50010, USA;
Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan, 1301 Beal Ave., Ann Arbor, Michigan 48109, USA;
机译:直流增强电容耦合等离子体中的高能电子通量I.基本特征
机译:在基于碳氟化合物的等离子体中进行电介质蚀刻后,金属硬掩模上的残留物会增加。二。解决方案
机译:掩膜和颈缩变形对高纵横比接触孔蚀刻中弯曲和扭曲的影响
机译:在100MHz电容耦合的H2 / N2气体等离子体中蚀刻有机低介电常数薄膜
机译:合理设计超低k介电材料的无损电容耦合等离子体蚀刻和光刻胶剥离工艺。
机译:使用NARMAX-VERB耦合代码模拟高能辐射带电子通量
机译:电容耦合等离子体的PIC / MCC模拟中快原子和能量相关的二次电子发射量的影响
机译:在具有40度后掠和纵横比为10的弧形和扭曲机翼上,马赫数上的压力分布高达0.90,包括围栏的影响