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机译:带尾对纳米线带间隧穿晶体管亚阈值特性的影响
Department of Electrical Engineering, University of California, Riverside, California 92521-0204, USA;
1Department of Electrical Engineering, University of California, Riverside, California 92521-0204, USA;
机译:在亚阈值范围内具有减小的带间隧穿效应的异质栅介电双栅无结晶体管(HGJLT)
机译:带尾对III-V型隧道场效应晶体管的亚阈值摆幅的影响
机译:陡峭亚阈值摆幅和高电流的异质结垂直带间隧穿晶体管
机译:重掺杂源对纳米线隧穿晶体管亚阈值特性的影响
机译:应变对硅CMOS晶体管的影响:阈值电压,栅极隧穿电流和1 / f噪声特性。
机译:压电势对金属-ZnO纳米线-金属场效应晶体管传输特性的影响
机译:带尾对III-V隧道场效应晶体管划线挥杆的影响