机译:纳米级绝缘体上硅扩散层的电子迁移率增强,其中高掺杂浓度大于1 x 1018 cm“ 3,且绝缘体上硅厚度小于10 nm
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-S9-12, Ookayama,Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan;
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-S9-12, Ookayama,Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan;
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-S9-12, Ookayama,Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan;
Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8552, Japan;
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-S9-12, Ookayama,Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan;
机译:具有(001)和(111)Si表面沟道的低于10nm厚的绝缘体上硅-金属-氧化物-半导体场效应晶体管的声子限制电子迁移率的低温行为
机译:具有(111)表面的超薄绝缘体上硅层和具有(001)表面的超薄绝缘体上锗的声子限制电子迁移行为和固有迁移率降低机理
机译:植入氧晶片中绝缘体上硅层中电子陷阱状态的深入剖析以及绝缘体上硅/埋入氧化物界面附近的局部机械应力
机译:SOI厚度小于10 nm且高掺杂浓度大于1×10 18 sup> cm -3 sup>的极薄SOI(ETSOI)扩散层中的异常电子迁移率
机译:拉伸硅:单轴和双轴应变产生过程,以及绝缘体上硅MOSFET的迁移率提高。
机译:PNAS Plus:高Tc电子掺杂Ca10(Pt3As8)(Fe2As2)5和Ca10(Pt4As8)(Fe2As2)5超导体具有方钴矿中间层
机译:偏振掺杂的电子迁移率al $ \ mathrm {_ {0-0.2}} $ GaN with a 低浓度接近10 $ \ mathrm {^ {17}} $ cm $ \ mathrm {^ { - 3}} $