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机译:为开发基于硅纳米线的纳米器件,对悬浮硅纳米线的应力延迟自限制氧化进行建模
Groupe Nanomat, CEMES-CNRS et University de Toulouse, 29 rue Jeanne Marvig, BP 94347 - 31055 Toulouse Cedex 4, France,Departement de Physique, INSA, LPCNO, 135 avenue de Rangueil, 31077 Toulouse France;
Groupe Nanomat, CEMES-CNRS et University de Toulouse, 29 rue Jeanne Marvig, BP 94347 - 31055 Toulouse Cedex 4, France;
Groupe Nanomat, CEMES-CNRS et University de Toulouse, 29 rue Jeanne Marvig, BP 94347 - 31055 Toulouse Cedex 4, France;
CEA-LETI, Minatec, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France;
CEA-LETI, Minatec, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France;
Departement de Physique, INSA, LPCNO, 135 avenue de Rangueil, 31077 Toulouse France;
机译:硅和钨纳米线中自限氧化的二维建模
机译:硅纳米线的二维自限制湿式氧化:实验和建模
机译:非平面硅结构的应力阻滞热氧化建模以实现纳米器件
机译:缓应力定向氧化的建模:硅纳米线通道的形状工程
机译:通过点接触反应,纳米硅器件的镍硅/硅/硅镍和铂硅/硅/铂硅纳米线异质结构形成纳米硅化物。
机译:悬浮在多晶硅电极之间的硅纳米线的栅极偏置相关结特性
机译:硅和钨纳米线中自限性氧化的二维建模