机译:分子动力学模拟,用于预测块状硅和硅纳米线的热导率:原子间电势和边界条件的影响
INSA de Lyon, CETHIL UMR500S, F-69621 Villeurbanne, France,INSA de Lyon, Universite de Lyon, F-69621 Villeurbanne, France and University Lyon 1,F-69621 Villeurbanne, France;
INSA de Lyon, CETHIL UMR500S, F-69621 Villeurbanne, France,INSA de Lyon, Universite de Lyon, F-69621 Villeurbanne, France and University Lyon 1,F-69621 Villeurbanne, France;
INSA de Lyon, CETHIL UMR500S, F-69621 Villeurbanne, France,INSA de Lyon, Universite de Lyon, F-69621 Villeurbanne, France and University Lyon 1,F-69621 Villeurbanne, France;
INSA de Lyon, Universite de Lyon, F-69621 Villeurbanne, France and University Lyon 1,F-69621 Villeurbanne, France,INSA de Lyon, MATE1S UMR5510, F-69621 Villeurbanne, France;
机译:分子动力学模拟克服了块状硅和硅纳米线热导率的有限尺寸效应
机译:通过分子动力学模拟预测GaAs,InAs和InP纳米线中声子的热传输:原子间电势的影响
机译:硅纳米线的热导率非平衡分子动力学模拟
机译:散装硅和纳米线热导率的分子动力学模拟
机译:纳米工程硅纳米线中的热传输通过分子动力学模拟
机译:每个球状体的细胞数和纳米线的电导率会影响硅纳米线状人心脏球状体的功能
机译:均衡的等效性和导热性计算的非醌分子动力学方法:从散装到纳米线硅