...
机译:施加电应力下超薄SiO_2层中缺陷演变的表征
Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of California, Davis, 1 Shields Ave, Davis, California 95616, USA;
Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of California, Davis, 1 Shields Ave, Davis, California 95616, USA;
机译:施加电应力下超薄SiO2层中缺陷演变的表征
机译:原子层化学气相沉积法沉积超薄富硅H化硅酸盐薄膜和H化硅酸盐/ SiO_2双层的物理和电学特征
机译:从第一原理出发,通过超薄SiO_2层进行直接和缺陷辅助电子隧穿
机译:RF等离子体氢化硅上热生长的超薄SiO_2中缺陷的C-V和G-V表征
机译:通过金属有机化学气相沉积相选择合成Tl-Ba-Ca-Cu-O薄膜和多层结构。工艺优化,相变,电学表征和微结构发展。
机译:应用于皮质进化的微电路概念:从三层皮质到六层皮质
机译:用原子层化学气相沉积沉积超薄Si的HF硅酸盐膜和HF硅酸盐/ SiO2双层的物理和电气特性
机译:低温中间层对GaN的应力和缺陷控制;日本应用物理学报