机译:电阻漂移对随机存取存储线单元中相变材料的传导活化能测量的影响
Zernike Institute for Advanced Materials, Materials innovation institute M2i, University of Groningen, Nijenborgh 4, 9747 AG Groningen, The Netherlands;
IBM Zurich Research Laboratory, Saeumerstr. 4, CH-8803 Rueschlikon, Switzerland;
I. Physikalisches Institut IA, RWTH Aachen, Sommerfeldstrasse 14, 52074 Aachen, Germany;
NXP Semiconductors, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
NXP Semiconductors, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
Zernike Institute for Advanced Materials, Materials innovation institute M2i, University of Groningen, Nijenborgh 4, 9747 AG Groningen, The Netherlands;
机译:使用双相变材料堆栈实现具有多级电阻的相变随机存取存储器
机译:Zn:SiO
机译:Zn:SiO_2电阻随机存取存储器件的跳跃传导距离相关活化能特性
机译:纳米超晶格的材料作为热绝缘体,用于相变随机存取存储器
机译:氢化非晶硅基材料中的电子漂移迁移率测量和导带尾态(锗和碳合金的影响)。
机译:非晶Ge2Sb2Te5相变随机存取存储材料的耐辐射性起因
机译:电阻漂移对随机存取存储线单元中相变材料的传导活化能测量的影响