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机译:Ni嵌入TiN / SiO_2 / p-Si金属-绝缘体-半导体结构的温度依赖性结电容-电压特性
Department of Physics and Meteorology, Indian Institute of Technology Kharagpur, Kharagpur, West Bengal 721302, India;
Department of Physics and Meteorology, Indian Institute of Technology Kharagpur, Kharagpur, West Bengal 721302, India,Amity Institute of Nano Technology, Amity University, Sector-125, Noida, Uttar Pradesh 201313, India;
Department of Physics and Meteorology, Indian Institute of Technology Kharagpur, Kharagpur, West Bengal 721302, India;
机译:Ni嵌入TiN / SiO2 / p-Si金属-绝缘体-半导体结构的温度依赖性结电容-电压特性
机译:CoFe_2O_4 / SiO_2 / p-Si异质结构中的自旋输运和温度相关的巨型正结磁阻
机译:自旋阀状磁隧道二极管在Co_2MnSi / SiO_2 / p-Si异质结构中在低温下表现出巨大的正结磁阻
机译:自组装外延Ni纳米粒子嵌入金属锡基质/ P-Si异质结的温度依赖性旋注性能
机译:分子掺杂的平面隧道结:将分子结构与结电特性相关联。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:基于Ge-NanoCrystal的非易失性存储器结构中电容电压特性的退火温度依赖性