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机译:石墨烯-铁电界面载流子密度调制的热电起源
Institute of Physics, NAS of Ukraine, 46, pr. Nauky, 03028 Kyiv, Ukraine,V. Lashkariov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, 41, pr. Nauky, 03028 Kyiv, Ukraine;
V. Lashkariov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, 41, pr. Nauky, 03028 Kyiv, Ukraine;
机译:石墨烯-铁电界面载流子密度调制的热电起源
机译:Srtio_3接口上Laalo_3处二维电子载流子密度的起源
机译:通过修饰的LaAlO _3 / SrTiO_3界面处的结构畸变来调制载流子密度
机译:高功率密度热释电能量收集器,具有可切换的基于液体的热界面
机译:使用门控霍尔法提取InGaAs金属氧化物半导体结构中的载流子迁移率和界面陷阱密度。
机译:LaAlO3 / SrTiO3界面处的非化学计量驱动的载流子密度变化
机译:载流子密度调制的热电起源 石墨烯 - 铁电界面