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机译:铟接触超导开始时拓扑绝缘体Bi_2Te_3的异常磁阻研究
Department of Physics, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA;
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机译:Bi_2Te_3金属拓扑绝缘体中的拓扑表面状态导致极大的非饱和磁阻和超高迁移率
机译:巨型光诱导的异常霍尔效应拓扑表面状态在三维拓扑绝缘体Bi_2te_3
机译:Sn掺杂Bi_2Te_3拓扑绝缘子的磁阻开关效应
机译:拓扑绝缘体新阶段的超导,磁阻,磁异常和晶体结构Bi_2se_3和Sb_2te_3
机译:磁性拓扑绝缘体和量子异常霍尔效应。
机译:拓扑绝缘体薄膜中高度可调的时反不变拓扑超导性
机译:铁磁/拓扑中室温下的大磁电阻 绝缘子触点