机译:超孔SiOCH低k材料中应力引起的泄漏电流与介电性能的相关性
Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium,Department of Materials Engineering, KU Leuven, 3000 Leuven, Belgium;
Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium,Department of Materials Engineering, KU Leuven, 3000 Leuven, Belgium;
Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
机译:超多孔低k材料中的电流泄漏松弛和电荷陷阱
机译:超多孔低k材料中的电流泄漏松弛和电荷陷阱
机译:超多孔低k材料的等离子体损伤与介电可靠性之间的相关性
机译:高k电介质材料中的泄漏电流与零偏置热激发电流光谱仪检测到的电子缺陷状态之间的相关性的工程意义
机译:铜/多孔低k互连中多孔低k的泄漏电流行为和传导机理的研究:外在因素的影响。
机译:以Al2O3为介电层的InN基金属-绝缘体-半导体结构的漏电流机理
机译:超孔SiOCH低k材料中应力引起的泄漏电流与介电性能的相关性
机译:用高强度慢正电子束二维角相关实验研究低k介质薄膜中的正电子