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机译:通过分析非辐射复合过程产生的热量来量化GaN中的内部量子效率
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan;
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan;
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan;
Institute for Materials Chemistry and Engineering, Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan;
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan;
机译:不同位错密度的GalnN / GaN多量子阱的内部量子效率和非辐射复合系数
机译:a面GaN上InGaN / GaN多量子阱的内部量子效率和光偏振分析
机译:通过减少Shockley-Read-Hall重组中心来提高在纳米多孔GaN上生长的InN的内部量子效率
机译:具有不同位错密度的Gainn / GaN多量子阱的内部量子效率和非辐射重组系数
机译:从第一原理了解光电子材料的非辐射复合过程。
机译:纳米图案化Si(100)上集成的相变立方GaN的高内部量子效率紫外发射
机译:具有不同位错密度的Gainn / GaN多量子阱的内部量子效率和非辐射重组系数