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机译:MRAM中的电压控制磁化切换,结合自旋转移扭矩和施加的磁场
Emerging Memory Technology Development, Micron Technology, Inc., Boise, Idaho 83707, USA;
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机译:通过组合自旋转印扭矩和旋转轨道扭矩,无现场免现场和子NS磁化切换磁隧道结
机译:平面内磁化合成亚铁磁自由层的自旋传递扭矩和外加磁场的磁化动力学
机译:自旋传递扭矩(STT)MRAM的磁性隧道结中使用倾斜磁各向异性的参考层降低开关电流的提案
机译:磁场施加溅射法制造的电线中没有外部磁场的旋转轨道转矩磁化切换的观察
机译:通过拓扑绝缘体转换旋转轨道扭矩和免现场磁化切换
机译:通过在垂直磁隧道结中结合电场和自旋转移转矩效应进行磁化切换
机译:电流感应磁隧道结的切换:效应 场固定自旋转移力矩,钉扎层磁化取向和 温度