机译:相邻(111)B GaAs上InGaAs量子线阵列的光学各向异性
National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan;
机译:在邻近GaAs(111)B上沿多原子步骤排列的InGaAs量子点阵列的光学各向异性
机译:在附近(111)B GaAs上沿准周期性多原子台阶排列的自组装InGaAs量子点阵列的形成
机译:在邻近(111)B GaAs上生长的准周期(L-0类似于30 nm)界面波纹的InGaAs量子阱的电子传输和光学性质
机译:在邻缘(111)B GaAs上生长的InGaAs耦合量子线结构与准周周期性波纹
机译:InGaAs / GaAs多量子阱中的缺陷产生:晶体和光学特性与外延生长条件的相关性。
机译:线槽纳米腔增强InGaAs / GaAs量子点/纳米线异质结构的单光子发射速率
机译:错误:“indaas量子丝阵列上的”光学各向异性在vicinal(111)baaas“J。苹果。物理。 120,134309(2016)
机译:单片二维表面发射应变层InGaas / alGaas和alInGaas / alGaas二极管激光器阵列,具有超过50%的差分量子效率