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机译:(Ga,In)/(P,As,N)对称和不对称量子阱和超晶格结构的能带结构和吸收特性:朝向晶格匹配的Ⅲ-Ⅴ/ Si串联
Univ Houston, Phys Dept, Houston, TX 77204 USA;
Univ Houston, Phys Dept, Houston, TX 77204 USA;
机译:In_0.53Ga_0.47As / GaAs_0.5Sb_0.5 / In_0.52Al_0.48As与分子束外延生长的InP晶格匹配的非对称II型量子阱结构
机译:硅和锗量子点中的对称带结构以及不对称的超快电子和空穴弛豫:时域ab引发模拟
机译:电场作用下调制掺杂的GaAs / Al-x Ga1-xAs对称和非对称双量子阱的电子结构和能带弯曲
机译:使用预退火增强缺陷扩散技术将InGaAs-InGaAs晶格匹配和应变量子阱结构混合
机译:非对称量子阱结构中非线性光学性质的数值分析。
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:硅和锗量子点中的对称能带结构以及不对称的超快电子和空穴弛豫:时域从头算起。
机译:光子带结构中的量子光源。光子带结构中的自诱导透明度:吸收共振附近的间隙孤子