Phosistor Technologies, Inc. (USA);
机译:使用氧化钛表面应力源引起力点缺陷扩散,增强InP / InGaAs / InGaAsP异质结构上的量子阱混合
机译:使用低能离子注入技术对InGaAsP-InP激光二极管进行蓝移:应变和晶格匹配的量子阱结构之间的比较
机译:In_1-xGa_xAs / InP和In_1-xGa_xAS / In_1-xGa_xAs_1-yP_y多量子阱结构的量子阱混合,采用无杂质空位扩散技术
机译:使用预退火增强缺陷扩散技术将InGaAs-InGaAs晶格匹配和应变量子阱结构混合在一起。
机译:天然缺陷增强了砷化铝镓量子阱异质结构中的相互扩散。
机译:退火生长的n型和p型调制掺杂GaInNAs / GaAs应变量子阱结构的磁输运研究
机译:利用氧化钛表面应力引发强迫点缺陷扩散,增强Inp / InGaas / InGaasp异质结上的量子阱混合
机译:晶格匹配和应变量子阱与量子线结构的光电特性比较