机译:拉普拉斯深能级瞬态光谱法对掺杂金的硅中G值的修订鉴定
Wroclaw Univ Sci & Technol, Fac Fundamental Problems Technol, Dept Quantum Technol, Wybrzeze Wyspianskiego 27, PL-50370 Wroclaw, Poland;
Tech Univ Dresden, D-01062 Dresden, Germany;
Tech Univ Dresden, D-01062 Dresden, Germany;
Tech Univ Dresden, D-01062 Dresden, Germany;
机译:Si中的孤立Ti:深层瞬态光谱,少数载流子瞬态光谱和高分辨率Laplace深层瞬态光谱研究
机译:通过深能级瞬态光谱和拉普拉斯变换深能级光谱研究了GaN中的深能级
机译:用深能级瞬态光谱和拉普拉斯变换深能谱研究GaN p-n结的深能级
机译:n-GaN中浅层和深层的高分辨率拉普拉斯深层瞬态光谱研究
机译:恒定电容深层瞬态光谱法研究(100)和(311)B分子束表型砷化镓深层。
机译:自组装分子单层膜对磷掺杂硅的深层瞬态光谱研究
机译:使用深能级瞬态光谱(DLTs)和Laplace-DLTs(LDLTs)通过3keV ar溅射在sb掺杂Ge中引入缺陷的表征
机译:si掺杂alGaas上的压力相关DLTs(深能级瞬态光谱)实验