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机译:电子束光刻制备的坑状硅衬底上生长的Ge纳米岛的形核位点
Rzhanov Inst Semicond Phys, Pr Lavrenteva 13, Novosibirsk, Russia;
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机译:在凹坑图案的Si(001)衬底上生长的GeSi纳米岛的弹性应变松弛
机译:在凹坑图案化的Si(001)衬底上生长的GeSi纳米岛的电子结构
机译:凹坑图案化Si(001)衬底上生长的SiGe岛的几何依赖性成核机理
机译:GE 3D岛上的成核坑型SI底座
机译:在p-silicon(111)衬底上合成氧化锌成核位点
机译:通过拉曼化学成像将细胞内生长的金纳纳米氏菌作为监测铬酸盐硫酸盐和硝酸盐定位位点的菌株碱基
机译:在凹坑图案的si(001)衬底上生长的Gesi纳米岛的电子结构