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机译:半绝缘GaAs中的锁定物理学:陷带碰撞电离,移动电场和光子回收的结合
Texas Tech Univ, Dept Elect & Comp Engn, Lubbock, TX 79409 USA;
Texas Tech Univ, Dept Elect & Comp Engn, Lubbock, TX 79409 USA;
Texas Tech Univ, Dept Elect & Comp Engn, Lubbock, TX 79409 USA;
Ness Engn Inc, POB 261501, San Diego, CA 92196 USA;
Texas Tech Univ, Dept Elect & Comp Engn, Lubbock, TX 79409 USA;
机译:通过面内电场在GaAs / Al0.35Ga0.65As量子阱中通过激子和施主的碰撞电离来激发激子光致发光
机译:勘误表:“评估阱带碰撞电离和空穴传输对含有深缺陷的4H-SiC光电导开关的暗电流的作用” [J.应用物理120,245705(2016)]
机译:评估陷带效应电离和空穴传输对含有深缺陷的4H-SiC光电导开关的暗电流的作用
机译:GaAs光电导电开关中锁定陷阱(MIIT)模型的含量,冲击电离
机译:半经典物理学中的光子角动量和运动介质中的波传播。
机译:GaAs岛量子点通过电场产生和纠缠偏振光子
机译:半绝缘GaAs中的锁定物理:陷阱到带冲击电离,移动电场和光子回收的组合
机译:Gaas中锁定持续阶段的热电离模型。