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Surface Studies on Single‐Crystal Germanium

机译:单晶锗的表面研究

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摘要

The condition of the surface of germanium crystals has been studied by chemical, electron microscope, electron diffraction, and other techniques after several of the standard etching procedures. The surface is often partially covered by particles believed to be germanium monoxide. An etch has been devised which gives a controlled thickness of germanium monoxide on the crystal. Another etch minimizes the oxide formation. A simple light‐scattering method for checking the surface cleanliness is described. The results of surface recombination velocity and channel effect measurements on crystals treated by these methods are described as is a method for obtaining low surface recombination on n‐type crystals.
机译:在几种标准蚀刻程序之后,已经通过化学,电子显微镜,电子衍射和其他技术研究了锗晶体的表面状况。该表面通常被认为是一氧化锗的颗粒部分覆盖。已经设计出一种蚀刻方法,该蚀刻方法可以使晶体上的一氧化锗厚度受控。另一蚀刻使氧化物形成最小化。描述了一种用于检查表面清洁度的简单光散射方法。描述了通过这些方法处理的晶体的表面重组速度和通道效应测量结果,这是一种在n型晶体上获得低表面重组的方法。

著录项

  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |1957年第11期|共8页
  • 作者

    Ellis S. G.;

  • 作者单位

    RCA Laboratories, Princeton, New Jersey;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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