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机译:花卉设计GaN晶体:氧化物气相外延的低电阻和低脱位密度生长
Panasonic Corp Mfg Innovat Div Kadoma Osaka 5718502 Japan|Osaka Univ Grad Sch Engn Suita Osaka 5650871 Japan;
Panasonic Corp Mfg Innovat Div Kadoma Osaka 5718502 Japan;
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GaN; growth mode control; low resistance; low dislocation density; power device; vertical device;
机译:通过新设计的氢化物气相外延在(1 0 0)LiA1O_2衬底上生长非极性m面GaN(10-10)单晶
机译:金属有机气相外延与氢化物气相外延相结合,在r面蓝宝石上生长a面GaN薄膜
机译:在c和m平面单晶上GaN的金属-有机气相外延过程中晶体生长模式的实时X射线研究
机译:金属有机气相外延和氢化物气相外延的选择性地区生长和外延横向过度生长
机译:用于未来III-氮化物生长的氢化物气相外延生长GaN衬底的表征
机译:有机金属气相外延过程中GaN(0001)和(000-1)的CH4吸附概率及其与膜中碳污染的关系
机译:优化GaN卤化物气相外延生长的低温GaN缓冲层