机译:在GaN P-N +结二极管中的重组电流提取的同性记P-GAN中的震撼读音乐终身
Kyoto Univ Kyoto 6158510 Japan;
Toyota Cent Res & Dev Labs Inc Nagakute Aichi 4801118 Japan;
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Nagoya Univ Nagoya Aichi 4648603 Japan;
Kyoto Univ Kyoto 6158510 Japan;
Kyoto Univ Kyoto 6158510 Japan|Nagoya Univ Nagoya Aichi 4648603 Japan;
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机译:从GaN p-n〜+结二极管的复合电流中提取同质p-GaN的Shockley-Read-Hall寿命
机译:具有雪崩击穿的GaN-on-GaN p-n二极管的近似单位理想因子和Shockley-Read-Hall寿命
机译:通过将硅离子注入p-GaN形成的GaN p-n结二极管
机译:无机(p-GaN / MgO)-有机(Alq_3)混合p-n结发光二极管的电致发光特性
机译:垂直GaN P-N二极管中的缺陷介导的载波传输机制
机译:硅基同质InGaN / GaN蓝色发光二极管反向漏电流特性的显着改善
机译:关于InGaN / GaN发光二极管的n-GaN层中N-GaN / P-GaN / N-GaN / P-GaN / N-GaN内置结的影响