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机译:InN / GaN数字合金沟道高电子迁移率晶体管中二维电子气的电子迁移率计算
Osaka Univ, Grad Sch Engn, Suita, Osaka 5650871, Japan;
Osaka Univ, Grad Sch Engn, Suita, Osaka 5650871, Japan;
机译:INN / GAN数字合金通道高电子移动晶体管二维电子气体的电子迁移率计算
机译:基于二维电子气密度和电子迁移率的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管规格因子仿真
机译:无意掺杂的AlGaN / GaN多通道高电子迁移率晶体管异质结构的二维电子气体源
机译:离子与Log(Ig)图的应用表征耗尽模式高电子迁移率晶体管,随着将非常薄的蒸发的Al层插入Aigan / GaN高电子迁移率晶体管作为示例
机译:通过基于Monte Carlo粒子的器件仿真对GaN高电子迁移率晶体管和热电子晶体管进行建模和设计。
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的电流崩塌是否可能源于沟道电子的能量弛豫?
机译:alGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的电流崩塌可能源于通道电子的能量弛豫?