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机译:弯曲电介质DBR反射器和硼离子注入对横向限制的可见GaN基VCSEL的最新进展的综述
Sony Corp, Compound Semicond Dev Dept, 4-14-1 Atsugi, Atsugi, Kanagawa, Japan;
Sony Corp, Compound Semicond Dev Dept, 4-14-1 Atsugi, Atsugi, Kanagawa, Japan;
Sony Corp, Compound Semicond Dev Dept, 4-14-1 Atsugi, Atsugi, Kanagawa, Japan;
机译:曲线介质DBR反射器与硼离子植入横向约束的可见GaN基VCSELS的最新进展综述
机译:使用原子平滑整体弯曲镜的GaN基VCSEL的横向光学限制
机译:用于多功能GaN的Polyiton和VCSEL技术的可转移介电DBR膜
机译:GaN垂直腔面发射激光器的最新进展,由于并入了曲面镜,因此具有横向光学限制
机译:通过离子注入(极化曲线,愤怒,铁注入,硼,扫描电子显微镜)修饰的镁和镁合金(AZ91C)中的腐蚀。
机译:使用原子光滑的整体曲面镜对GaN基VCSEL进行横向光学限制
机译:双电介质DBRS横向光学限制在GaN Vcsels中的影响