机译:高迁移率(> 30cm〜2V〜(-1)s〜(-1))和低源/漏寄生电阻In-Zn-O BEOL晶体管,超低<10-20 A /μm〜(-1)截止状态漏电流
Toshiba Memory Corp, Inst Memory Technol R&D, Device Technol R&D Ctr, Kawasaki, Kanagawa 2120058, Japan;
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机译:碳纳米管场效应晶体管的源/漏掺杂水平的优化,以在保持理想导通状态电流的同时抑制截止状态漏电流
机译:减少采用双金属漏极的无掺杂晶体管的关态漏电流
机译:减少采用双金属排水管的多拔晶体管中的断态漏电流
机译:具有高导通电流和超低(<10 −20 sup> A /μm)关态漏电流的高性能In-Zn-O FET,适用于Si CMOS BEOL应用
机译:锗PMOS中的栅极间寄生电容最小化和源极-漏极泄漏评估。
机译:栅极长度与漏极-源极距离之比对AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中电子迁移率的影响
机译:采用高应力siNx表面钝化层的alGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的低断态漏电流