机译:沉积在硅衬底上的外延氧化镁膜中晶格常数的收缩
Kanagawa Inst Ind Sci & Technol KISTEC, Ebina, Kanagawa 2430435, Japan|Sagamihara Surface Lab, Sagamihara, Kanagawa 2520243, Japan|Tokyo Inst Technol, Yokohama, Kanagawa 2268502, Japan;
Tohoku Univ, Sendai, Miyagi 9808577, Japan;
Tohoku Univ, Sendai, Miyagi 9808577, Japan;
Tohoku Univ, Sendai, Miyagi 9808577, Japan;
Tohoku Univ, Sendai, Miyagi 9808577, Japan;
Kanagawa Inst Ind Sci & Technol KISTEC, Ebina, Kanagawa 2430435, Japan;
Kanagawa Inst Ind Sci & Technol KISTEC, Ebina, Kanagawa 2430435, Japan;
Istanbul Univ, TR-34134 Istanbul, Turkey;
Sabanci Univ, TR-34956 Istanbul, Turkey;
Sagamihara Surface Lab, Sagamihara, Kanagawa 2520243, Japan;
Sagamihara Surface Lab, Sagamihara, Kanagawa 2520243, Japan|Japan Adv Chem, Sagamihara, Kanagawa 2520243, Japan;
Japan Adv Chem, Sagamihara, Kanagawa 2520243, Japan;
Tokyo Inst Technol, Yokohama, Kanagawa 2268502, Japan;
Tokyo Inst Technol, Yokohama, Kanagawa 2268502, Japan;
机译:外延氧化镁薄膜晶格常数的大收缩:点缺陷对晶格常数的影响
机译:外延氧化镁薄膜晶格常数的大收缩:点缺陷对晶格常数的影响
机译:点缺陷对沉积在硅(0 0 1)衬底上的MgO薄膜中晶格常数的影响:使用ABINIT代码的从头算方法
机译:用于硅光子磁光器件的氧化镁缓冲层沉积在硅上的钴铁氧体薄膜
机译:R有机氧化铝衬底上金属有机化学气相的生长和外延氧化镁锌薄膜的表征。
机译:通过沉积在Mo(110)衬底上生长的金纳米粒子上的金纳米粒子上的一氧化碳氧化:电荷隧穿通过氧化膜的效果
机译:使用钛酸锶转变层在氧化镁(100)衬底上沉积外延铌酸钾薄膜的结构 - 光学性质相关性
机译:2002年12月在伊利诺伊州argonne的argonne国家实验室进行的高级光子源活动报告 - 文稿标题:“多晶金属基板上氧化膜中外延生长和晶格倾斜的微衍射研究”