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机译:振荡的最大最大频率为0.1μm的偏置Gamma形栅极InGaAs / InAlAs / GaAs变形高电子迁移率晶体管的小信号分析
Millimeter-wave INnovation Technology Research Center (MINT), Dongguk University, Pil-dong, Chung-gu, Seoul 100-715, Korea;
MHEMTs; wide-gate-recess-method; narrow-gate-recess-method; maximum frequency of oscillation; gamma-shaped-gate;
机译:通过在75 nm栅极InAlAs / InGaAs高电子迁移率晶体管中使用扩展的漏极侧凹槽结构获得的最大振荡频率为1.3 THz
机译:具有不带栅极凹槽的液相氧化InGaAs栅极的InAlAs / InGaAs变质高电子迁移率晶体管的改进的微波和噪声性能
机译:具有液相氧化的InGaAs栅极的InAlAs / InGaAs变质高电子迁移率晶体管中的击穿电压和冲击电离得到改善
机译:通过对InGaAs / InAlAs PHEMT使用75 nm的栅极长度和不对称的栅极凹槽实现1.2 THz的最大振荡频率
机译:倒置型Inalas / INAS高电子 - 移动晶体管具有液相氧化INALAS作为栅极绝缘体
机译:GaAs衬底上高掺杂InAlAs / InGaAs变质高电子迁移率晶体管的子带电子特性