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机译:金属有机化学气相沉积法外延生长MgO掺杂铌酸锂薄膜
R&D Center, NGK Insulators, LTD., 2-56 Suda-cho, Mizuho, Nagoya, Aichi 467-8530, Japan;
LiNbO_3 (LN); stoichiometric; metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD); thin film; epitaxial growth; waveguide;
机译:金属有机化学气相沉积法制备铌酸锂薄膜的外延生长
机译:固源金属有机化学气相沉积法在硅上生长c轴铌酸锂薄膜
机译:在氧化物和金属基底上通过金属有机化学气相沉积法生长外延NiO膜时膜的微观结构与沉积条件的关系
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机译:金属有机化学气相沉积法制备铌酸锶钡和铌酸钾薄膜的结构和光学性质
机译:金属有机化学气相沉积外延生长的锗纳米柱太阳能电池
机译:错误:“使用ktaxnb1-xo3中间层通过金属化学气相沉积”应用ktaxnb1-xo3中间层的“取向控制的关节3晶体薄膜的外延生长”物理。吧。 78,49(2001)