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机译:使用脉冲时间调制的Cl_2等离子体进行高性能且无损伤的磁膜蚀刻
Institute of Fluid Science, Tohoku University, 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan;
magnetic film; reactive ion etching; pulse-time-modulated plasma; negative ion; MRAM;
机译:在脉冲时间调制等离子体中使用负离子进行高性能且无损伤的中性束蚀刻工艺
机译:各种HBr / Cl_2混合比的HBr + Cl_2 + Ar电感耦合等离子体中InP薄膜离子辅助刻蚀的动力学和机理
机译:Cl_2 / BCl_3和Cl_2 / Ar电感耦合等离子体刻蚀GaN薄膜的特性
机译:使用脉冲时间调制的Cl / sub 2 /等离子体进行高性能且无损伤的磁性膜刻蚀
机译:复杂氧化物薄膜的基于卤素的等离子体刻蚀动力学模型及其在预测特征轮廓模拟中的应用。
机译:在−50°C以上的条件下使用微毛细管冷凝对多孔有机硅低k进行无损等离子体刻蚀
机译:通过RF等离子刻蚀对点图案化磁介质进行纳米图案化的CoPt / TiN膜