机译:用于高质量多晶硅薄膜晶体管的溅射沉积SiO_2薄膜
The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8904, Japan;
sputter-deposition; gate SiO_2; C-MOS circuits; short channel effect; low gate current; high breakdown field;
机译:使用非常薄的溅射沉积SiO / sub 2 /膜的高迁移率多晶硅薄膜晶体管的特性
机译:具有纳米线沟道的非易失性Si / SiO_2 / SiN / SiO_2 / Si型多晶硅薄膜晶体管存储器,用于改善擦除特性
机译:帽式SiO_2薄膜通过连续波激光横向结晶形成的多晶硅薄膜的粗糙度降低
机译:高质量的多晶硅薄膜晶体管,由激光照射溅射Si薄膜制成
机译:薄膜晶体管应用的多晶硅/电介质/衬底材料系统:材料特性对晶体管性能和可靠性的影响。
机译:使用H2烧结改善低温多晶硅薄膜晶体管传感器的pH敏感性
机译:基于溶液的金属诱导结晶的多晶硅膜和薄膜晶体管