机译:用于Cu(InGa)Se_2太阳能电池的化学浴沉积ZnO和Mg(OH)_2缓冲层
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan;
Cu(InGa)Se_2; chemical bath deposition; buffer layer; ZnO; Mg(OH)_2;
机译:具有环保a-Si缓冲层的无镉Cu(InGa)Se_2太阳能电池
机译:具有锌基缓冲层的高效Cu(InGa)Se_2太阳能电池
机译:薄膜基于Cu(In,Ga)(S,Se)2的太阳能电池中的Zn(S,O,OH)/ ZnMgO缓冲液第一部分:Zn(S,O,OH)缓冲层的快速化学浴沉积共蒸发Cu(In,Ga)Se_2和电沉积CuIn(S,Se)_2太阳能电池的工业应用
机译:含锌基缓冲层的ZnO / Cu(InGa)Se_2太阳能电池吸光效应的综合研究
机译:TiO2作为Cu(In,Ga)SE2太阳能电池中的中间缓冲层
机译:化学浴和表面沉积法制备Cu(InGa)Se2太阳能电池板(CdZn)S缓冲层的比较研究
机译:薄膜Cu(IN,Ga)(Se,S)2的太阳能电池的Zn(S,O,OH)/ ZnMgo缓冲液部分II:ZnMGO缓冲层的磁控溅射,用于在线共蒸发的Cu (在,Ga)Se2solar细胞