机译:具有环保a-Si缓冲层的无镉Cu(InGa)Se_2太阳能电池
Nanjing Univ Aeronaut & Astronaut Jiangsu Key Lab Mat & Technol Energy Convers Coll Mat Sci & Technol 29 Yudao St Nanjing 210016 Peoples R China;
Nanjing Univ Aeronaut & Astronaut Jiangsu Key Lab Mat & Technol Energy Convers Coll Mat Sci & Technol 29 Yudao St Nanjing 210016 Peoples R China|Changzhou Univ Jiangsu Collaborat Innovat Ctr Photovolta Sci & E Changzhou 213164 Jiangsu Peoples R China;
GIGS thin film; a-Si thin film; Cd-free solar cell; SCAPS simulation;
机译:使用蒸发的无CD缓冲层改善CU(INGA)SE2薄膜太阳能电池的性能
机译:Ti箔上具有ZnS(O,OH)缓冲层的无镉柔性Cu(ln,Ga)Se_2薄膜太阳能电池
机译:Zn_(1-x)Sn_xO_y缓冲层厚度对18.0%高效无Cd Cu(In,Ga)Se_2太阳能电池的影响
机译:幼术和硒基半导体的表征在Cu(ingA)Se_2薄膜太阳能电池中的无CD-缓冲层
机译:TiO2作为Cu(In,Ga)SE2太阳能电池中的中间缓冲层
机译:数据集表示Cu(InGa)Se光伏电池中无Cd的AlGaAs缓冲层间接带隙区域的影响
机译:Ilgar In2S3缓冲层用于无镉Cu(In,Ga)(s,se)2 olar细胞,其认证效率高于16%