...
机译:Ge注入以提高结晶度和生产率,这是通过原子质量单位无交叉污染技术制备的固相外延技术
Process Development Team, Memory Division, Samsung Electronics Co., Ltd., San #24 Nongseo-Dong, Giheung-Gu, Yongin-Si, Gyeonggi-Do 446-711, Korea;
pre-amorphization implantation (PAI); solid phase epitaxy (SPE); AMU contamination; enriched ~(72)Ge, ribbon-like wide beam;
机译:离子注入非晶化的SiGe薄膜固相外延再生过程中的非晶-晶体界面演化
机译:利用水热技术制备的晶体ZnO靶,通过螺旋波激发等离子体溅射外延技术,对杂质浓度降低的ZnO膜进行同质外延生长
机译:修饰固相外延在单晶Gd_2O_3上生长的单晶硅
机译:通过组合激光结晶和固相外延制备的玻璃多晶硅薄膜太阳能电池中残余应力及其与微观结构的关系
机译:在傅立叶变换离子回旋共振质谱仪中,通过FTICR截面积和持续的非共振辐射碰撞碰撞诱导解离技术对超分子进行气相表征。
机译:基于Voronoi镶嵌真实特征值和原子特性数据的结晶固体通用表示方案
机译:通过扫描隧穿显微镜研究的Si表面上的固相外延。扫描 - 隧道显微镜观察Ge固相外延对Si(111)。
机译:si(亚1(负)y)C(亚y)/ si和si(亚1(负)x(负)y)Ge(亚x)C(亚y)/ si异质结构的稳定性和沉淀动力学固相外延