机译:通过控制空穴注入势垒改善并五苯静电感应晶体管的开/关比
Optoelectronic Industry and Technology Development Association, Advanced Organic Device Project, Chiba Laboratory, 1-33 Yayoicho, Inage-ku, Chiba 263-8522, Japan;
organic static induction transistors; pentacene; CuPc; hole injection barrier; on/off current ratio;
机译:具有超薄CuPc层的并五苯静电感应晶体管的开/关比提高
机译:具有C_(16)H_(33)SH修饰的Au电极的并五苯场效应晶体管的空穴注入势垒
机译:有机薄膜晶体管中金表面并五苯薄膜中空穴注入势垒的分子取向依赖性
机译:通过控制ITO功函数改进五章静电感应晶体管性能
机译:4H-SiC中的高压肖特基势垒整流器和静电感应晶体管。
机译:F4TCNQ掺杂的并五苯中间层对基于顶部接触并五苯的有机薄膜晶体管性能改善的影响
机译:使用并五苯:4,4“-tris(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺:moO3缓冲层,通过pentacene薄膜晶体管中的两条平行路径观察空穴注入增强
机译:mEsFET双极晶体管与静电感应晶体管C类放大器的比较