Fabrication of Single Crystalline (La,Ba)MnO_3 Nanodot Array by Mo/SiO_x Lift-Off Technique

Naoki Suzuki; Hidekazu Tanaka; Tomoji Kawai

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Fabrication of Single Crystalline (La,Ba)MnO_3 Nanodot Array by Mo/SiO_x Lift-Off Technique

机译：Mo / SiO_x剥离技术制备（La，Ba）MnO_3单晶纳米点阵列

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Nanoimprint-lithography-based molybdenum lift-off was applied to fabricate a perovskite-type La_(0.8)Ba_(0.2)MnO_3(LBMO) nanodot array on a SrTiO_3(100) substrate in combination with an in situ pulsed laser deposition (PLD) technique. We fabricated a Mo/SiO_x bilayer mask pattern to prevent the crystallization of the Mo layer even at 700 ℃ and successfully obtained a LBMO nanodot array with a dot size as small as 200 nm by removing the Mo layer using 0.1 N NaOH aqueous solution.

机译：基于纳米压印光刻技术的钼剥离技术结合原位脉冲激光沉积（PLD）在SrTiO_3（100）衬底上制造钙钛矿型La_（0.8）Ba_（0.2）MnO_3（LBMO）纳米点阵列。技术。我们制备了Mo / SiO_x双层掩模图案以防止Mo层在700℃时结晶，并通过使用0.1 N NaOH水溶液去除Mo层成功地获得了点尺寸小至200 nm的LBMO纳米点阵列。

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来源
《Japanese journal of applied physics》 |2009年第11期|116511.1-116511.5|共5页
作者
Naoki Suzuki; Hidekazu Tanaka; Tomoji Kawai;
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作者单位

JST-CREST, 4-1-8 Honcho, Kawaguchi, Saitama 332-0012, Japan Toyota Central R&D Labs., Inc., Nagakute, Aichi 480-1192. Japan;

JST-CREST, 4-1-8 Honcho, Kawaguchi, Saitama 332-0012, Japan The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan;

JST-CREST, 4-1-8 Honcho, Kawaguchi, Saitama 332-0012, Japan The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan;

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