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机译:使用火山形图案的蓝宝石衬底增强基于GaN的发光二极管的光提取
Korea Photonics Technology Institute (KOPTI), Gwangju 500-460, Korea Department of Physics, Chonnam National University, Gwangju 500-757, Korea;
rnKorea Photonics Technology Institute (KOPTI), Gwangju 500-460, Korea;
rnKorea Photonics Technology Institute (KOPTI), Gwangju 500-460, Korea;
rnKorea Photonics Technology Institute (KOPTI), Gwangju 500-460, Korea;
rnKorea Photonics Technology Institute (KOPTI), Gwangju 500-460, Korea;
rnKorea Photonics Technology Institute (KOPTI), Gwangju 500-460, Korea;
rnPlusTek Co., Ltd., Gwangju 500-460, Korea;
rnDepartment of Physics, Chonnam National University, Gwangju 500-757, Korea;
机译:高性能基于GaN的发光二极管的蓝宝石衬底处理:蓝宝石衬底的微图案化及其对基于GaN的发光二极管中光增强的影响
机译:具有嵌入式SiO2的火山形图案蓝宝石基材上生长的基于IngaN的发光二极管的性能。
机译:通过优化SiO_2纳米棒阵列深度图案化蓝宝石衬底来增强GaN基发光二极管的光输出
机译:氮化镓基发光二极管的内部量子效率更高,且图案化蓝宝石衬底的占空比更大
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:蓝宝石衬底上具有反应性等离子体沉积AlN成核层的GaN基紫外发光二极管的效率提高
机译:用于提高GaN的发光二极管效率的新型图案化的蓝宝石基材