机译:Si衬底上外延生长的垂直排列的AlAs / GaAs / GaP异质结构纳米线的结构,组成和光学表征
NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3.1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan;
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机译:硅衬底上外延生长的垂直排列的间隙/ gaas核-多壳纳米线
机译:热蒸发方法在石墨烯/ Si衬底上生长垂直良好对准ZnO纳米线的结构,光学和气体感测性能
机译:在GaAs和Si衬底上生长的Mg掺杂的GaAs纳米线的结构和光学表征
机译:硅衬底上生长的垂直GaAs / GaP核壳纳米线的结构和光学表征
机译:通过分子束外延生长的GaAs / Gaassb(N)核心壳纳米线的带隙调谐
机译:Si(100)和Si(111)衬底生长的GaAs / AlGaAs核壳纳米线中光生载流子的动力学
机译:在GaAs和Si基材上生长的Mg掺杂GaAs纳米线的结构和光学表征
机译:alGaas / Gaas异质结构的外延层和衬底界面的成分不均匀性